IRF6607

International Rectifier (Infineon Technologies)

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型号	IRF6607
制造商	Infineon
描述	Trans MOSFET N-CH 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
无铅状态/ RoHS状态	包含铅/ RoHS不兼容

~~有现货~~ 19497 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$2.006	$1.811	$1.633	$1.598

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	2V @ 250µA
Vgs（最大）:	±12V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	DIRECTFET™ MT
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	3.3 mOhm @ 25A, 10V
功率耗散（最大）:	3.6W (Ta), 42W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封装/箱体:	DirectFET™ Isometric MT
其他名称:	IRF6607-ND IRF6607TR SP001532212
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:	Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	6930pF @ 15V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	75nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	4.5V, 7V
漏极至源极电压（Vdss）:	30V
详细说明:	N-Channel 30V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
电流 - 25°C连续排水（Id）:	27A (Ta), 94A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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