IRF6602

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6602
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型号 IRF6602
制造商 International Rectifier
描述 Mosfet N-ch 20V 11A Directfet
无铅状态/ RoHS状态 包含铅/ RoHS不兼容
有现货 2027 pcs
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:DIRECTFET™ MQ
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:13 mOhm @ 11A, 10V
功率耗散(最大):2.3W (Ta), 42W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:DirectFET™ Isometric MQ
其他名称:IRF6602TR
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1420pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:18nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:N-Channel 20V 11A (Ta), 48A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
电流 - 25°C连续排水(Id):11A (Ta), 48A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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