IRF6604TR1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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型号	IRF6604TR1
制造商	Infineon
描述	Trans MOSFET N-CH Si 30V 12A 7-Pin Direct-FET MQ T/R / MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

~~有现货~~ 28877 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.861	$0.777	$0.701	$0.686

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	2.1V @ 250µA
Vgs（最大）:	±12V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	DIRECTFET™ MQ
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	11.5 mOhm @ 12A, 7V
功率耗散（最大）:	2.3W (Ta), 42W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封装/箱体:	DirectFET™ Isometric MQ
其他名称:	SP001525412
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	2270pF @ 15V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	26nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	4.5V, 7V
漏极至源极电压（Vdss）:	30V
详细说明:	N-Channel 30V 12A (Ta), 49A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ
电流 - 25°C连续排水（Id）:	12A (Ta), 49A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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