IRF6608
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| 型号 | IRF6608 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 获取报价 | ||||
产品特性
数据表
| VGS(TH)(最大)@标识: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±12V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | DIRECTFET™ ST |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 9 mOhm @ 13A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | DirectFET™ Isometric ST |
| 其他名称: | *IRF6608 IRF6608CT |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 3 (168 Hours) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2120pF @ 15V |
| 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 24nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 30V |
| 详细说明: | N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
| 电流 - 25°C连续排水(Id): | 13A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
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