IRF6609
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| 型号 | IRF6609 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon |
| 描述 | MOSFET, Power; N-Channel; 1.6 Miliohms (Typ.); 20 V (Min.); 250 A (Max.) |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.82 | $0.741 | $0.668 | $0.653 | ||
产品特性
数据表
| VGS(TH)(最大)@标识: | 2.45V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | DIRECTFET™ MT |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 2 mOhm @ 31A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 1.8W (Ta), 89W (Tc) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | DirectFET™ Isometric MT |
| 其他名称: | *IRF6609 IRF6609CT |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 3 (168 Hours) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 6290pF @ 10V |
| 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 69nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压(最大Rds开,最小Rds开): | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
| 详细说明: | N-Channel 20V 31A (Ta), 150A (Tc) 1.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| 电流 - 25°C连续排水(Id): | 31A (Ta), 150A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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