IRF6603

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6603
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型号 IRF6603
制造商 International Rectifier
描述 MOSFET, Power; N-Channel; 3.4 Megohms @ 10 V; 30 V; 92 A; 3.6 W @ degC; 20 ns
无铅状态/ RoHS状态 包含铅/ RoHS不兼容
有现货 37127 pcs
参考价格
(美元)
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$0.415$0.375$0.338$0.33
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 250µA
Vgs(最大):+20V, -12V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:DIRECTFET™ MT
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:3.4 mOhm @ 25A, 10V
功率耗散(最大):3.6W (Ta), 42W (Tc)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:DirectFET™ Isometric MT
其他名称:*IRF6603
IRF6603CT
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:6590pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:72nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
电流 - 25°C连续排水(Id):27A (Ta), 92A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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