TRS8E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | TRS8E65C,S1Q |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $7.857 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 正向（Vf）（最大）: | 1.7V @ 8A |
|---|---|
| 电压 - （Vr）（最大）: | 650V |
| 供应商设备封装: | TO-220-2L |
| 速度: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 系列: | - |
| 反向恢复时间（trr）: | 0ns |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-220-2 |
| 其他名称: | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
| 工作温度 - 结: | 175°C (Max) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 12 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 二极管类型: | Silicon Carbide Schottky |
| 详细说明: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| 电流 - Vr时反向漏电: | 90µA @ 650V |
| 电流 - 平均整流（Io）: | 8A (DC) |
| 电容@ Vr，F时: | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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