TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | TRS6E65C,S1AQ |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $6.458 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 峰值反向(最大): | Silicon Carbide Schottky |
|---|---|
| 电压 - 正向(Vf)(最大): | 6A (DC) |
| 电压 - 击穿: | TO-220-2L |
| 系列: | - |
| RoHS状态: | Tube |
| 反向恢复时间(trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 电阻@,女: | 35pF @ 650V, 1MHz |
| 极化: | TO-220-2 |
| 其他名称: | TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND |
| 工作温度 - 结: | 0ns |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 12 Weeks |
| 制造商零件编号: | TRS6E65C,S1AQ |
| 展开说明: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| 二极管配置: | 90µA @ 650V |
| 描述: | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L |
| 电流 - Vr时反向漏电: | 1.7V @ 6A |
| 电流 - 平均整流(Io)(每二极管): | 650V |
| 电容@ Vr,F时: | 175°C (Max) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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