TRS6E65C,S1AQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ
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型号 TRS6E65C,S1AQ
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 峰值反向(最大):Silicon Carbide Schottky
电压 - 正向(Vf)(最大):6A (DC)
电压 - 击穿:TO-220-2L
系列:-
RoHS状态:Tube
反向恢复时间(trr):No Recovery Time > 500mA (Io)
电阻@,女:35pF @ 650V, 1MHz
极化:TO-220-2
其他名称:TRS6E65C,S1AQ(S
TRS6E65C,S1Q
TRS6E65C,S1Q(S
TRS6E65CS1AQ
TRS6E65CS1AQ(S
TRS6E65CS1Q
TRS6E65CS1Q-ND
工作温度 - 结:0ns
安装类型:Through Hole
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:12 Weeks
制造商零件编号:TRS6E65C,S1AQ
展开说明:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L
二极管配置:90µA @ 650V
描述:DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
电流 - Vr时反向漏电:1.7V @ 6A
电流 - 平均整流(Io)(每二极管):650V
电容@ Vr,F时:175°C (Max)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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