STGD4M65DF2

STMicroelectronics

STGD4M65DF2
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型号 STGD4M65DF2
制造商 STMicroelectronics
描述 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 32130 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.688$0.621$0.56$0.548
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.1V @ 15V, 4A
测试条件:400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:12ns/86ns
开关能量:40µJ (on), 136µJ (off)
供应商设备封装:DPAK
系列:M
反向恢复时间(trr):133ns
功率 - 最大:68W
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名称:497-16963-2
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:Trench Field Stop
栅极电荷:15.2nC
详细说明:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
电流 - 集电极脉冲(ICM):16A
电流 - 集电极(Ic)(最大):8A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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