| 在线询价
中文版
English 简体中文
首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-igbt-单 > STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4

STMicroelectronics

STGD3NB60SDT4
图片只作为参考
更多产品信息请查看规格书
CJJhk.com向所有购买的STGD3NB60SDT4
提供一年质保期

在线询价

型号 STGD3NB60SDT4
制造商 STMicroelectronics
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 43321 pcs
参考价格
(美元)		10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.68$0.614$0.553$0.541
提交一个询价得到比目前显示价格更好的价格。
目标价：(USD)
数量：
合计：
$0.68

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:1.5V @ 15V, 3A
测试条件:480V, 3A, 1 kOhm, 15V
Td（开/关）@ 25°C:125µs/-
开关能量:1.15mJ (off)
供应商设备封装:DPAK
系列:PowerMESH™
反向恢复时间（trr）:1.7µs
功率 - 最大:48W
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名称:497-4109-1
工作温度:175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:18nC
详细说明:IGBT 600V 6A 48W Surface Mount DPAK
电流 - 集电极脉冲（ICM）:25A
电流 - 集电极（Ic）（最大）:6A
基础部件号:STG*3NB
Email:info@cjjhk.com

介绍

我们可以提供STGD3NB60SDT4，使用请求报价表格请求STGD3NB60SDT4 pirce和交货时间。有300万行的可用电子组件项目可以在短时间内发货，超过25万零件的电子组件的库存数量可立即交付，其中可能包括零件号STGD3NB60SDT4。根据数量，STGD3NB60SDT4的价格和交货时间和交货时间必需，可用性和仓库位置。今天和我们的销售代表将为您提供＃STGD3NB60SDT4的价格和交付。我们期待与您合作建立长期合作关系

STGD3NB60SDT4的相似型号

图片 型号 制造商 描述 查看
STGD5NB120SZ-1 Image STGD5NB120SZ-1 STMicroelectronics STGD5NB120SZ Series 1200 V 10 A Low Drop Internally Clamped IGBT TO-251 在线询价
STGD3NB60FT4 Image STGD3NB60FT4 STMicroelectronics IGBT 600V 6A 60W DPAK 在线询价
STGD3NB60SD-1 Image STGD3NB60SD-1 STMicroelectronics IGBT 600V 6A 48W DPAK 在线询价
STGD19N40LZ Image STGD19N40LZ STMicroelectronics IGBT 20V 40A DPAK 在线询价
STGD3HF60HDT4 Image STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics IGBT 600V 7.5A 38W DPAK 在线询价
STGD5H60DF Image STGD5H60DF STMicroelectronics Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed 在线询价
STGD6M65DF2 Image STGD6M65DF2 STMicroelectronics Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss 在线询价
STGD4M65DF2 Image STGD4M65DF2 STMicroelectronics Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss 在线询价