| 在线询价
中文版
English 简体中文
首  页 > 产品展示 > 分立半导体产品 > 晶体管-igbt-单 > STGD3NB60SD-1

STGD3NB60SD-1

STMicroelectronics

STGD3NB60SD-1
图片只作为参考
更多产品信息请查看规格书
CJJhk.com向所有购买的STGD3NB60SD-1
提供一年质保期

在线询价

型号 STGD3NB60SD-1
制造商 STMicroelectronics
描述 IGBT 600V 6A 48W DPAK
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
询价
参考价格
(美元)		3000 pcs
$0.587
提交一个询价得到比目前显示价格更好的价格。
目标价：(USD)
数量：
合计：
$0.587

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:1.5V @ 15V, 3A
测试条件:480V, 3A, 1 kOhm, 15V
Td（开/关）@ 25°C:125µs/3.4µs
开关能量:1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
供应商设备封装:DPAK
系列:PowerMESH™
反向恢复时间（trr）:1.7µs
功率 - 最大:48W
封装:Tube
封装/箱体:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
工作温度:175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:3 (168 Hours)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:18nC
详细说明:IGBT 600V 6A 48W Surface Mount DPAK
电流 - 集电极脉冲（ICM）:25A
电流 - 集电极（Ic）（最大）:6A
基础部件号:STG*3NB
Email:info@cjjhk.com

介绍

我们可以提供STGD3NB60SD-1，使用请求报价表格请求STGD3NB60SD-1 pirce和交货时间。有300万行的可用电子组件项目可以在短时间内发货，超过25万零件的电子组件的库存数量可立即交付，其中可能包括零件号STGD3NB60SD-1。根据数量，STGD3NB60SD-1的价格和交货时间和交货时间必需，可用性和仓库位置。今天和我们的销售代表将为您提供＃STGD3NB60SD-1的价格和交付。我们期待与您合作建立长期合作关系

STGD3NB60SD-1的相似型号

图片 型号 制造商 描述 查看
STGD3HF60HDT4 Image STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics IGBT 600V 7.5A 38W DPAK 在线询价
STGD6M65DF2 Image STGD6M65DF2 STMicroelectronics Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss 在线询价
STGD3NB60SDT4 Image STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 在线询价
STGD18N40LZT4 Image STGD18N40LZT4 STMicroelectronics IGBT, 400V, 25A, DPAK; Transistor Type: IGBT; DC Collector Current: 25A; Collector 在线询价
STGD5NB120SZ-1 Image STGD5NB120SZ-1 STMicroelectronics STGD5NB120SZ Series 1200 V 10 A Low Drop Internally Clamped IGBT TO-251 在线询价
STGD4M65DF2 Image STGD4M65DF2 STMicroelectronics Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss 在线询价
STGD19N40LZ Image STGD19N40LZ STMicroelectronics IGBT 20V 40A DPAK 在线询价
STGD3NB60FT4 Image STGD3NB60FT4 STMicroelectronics IGBT 600V 6A 60W DPAK 在线询价