SSM6L09FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF
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型号 SSM6L09FUTE85LF
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
描述 MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.8V @ 100µA
供应商设备封装:US6
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:700 mOhm @ 200MA, 10V
功率 - 最大:300mW
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
其他名称:SSM6L09FUTE85LFCT
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:20pF @ 5V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:-
FET型:N and P-Channel
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
电流 - 25°C连续排水(Id):400mA, 200mA
Email:info@cjjhk.com

介绍

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