SSM6K514NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | SSM6K514NU,LF |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 12A 6-UDFNB |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.58 | $0.488 | $0.366 | $0.268 | $0.207 | |
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.4V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | 6-UDFNB (2x2) |
| 系列: | U-MOSIX-H |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 11.6 mOhm @ 4A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 2.5W (Ta) |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | 6-WDFN Exposed Pad |
| 其他名称: | SSM6K514NULFDKR |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1110pF @ 20V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 40V |
| 详细说明: | N-Channel 40V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 12A (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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