IRLML6402TR

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML6402TR
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型号 IRLML6402TR
制造商 Infineon
描述 Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; 0.065ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
无铅状态/ RoHS状态 包含铅/ RoHS不兼容
有现货 60382 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.2V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:Micro3™/SOT-23
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
功率耗散(最大):1.3W (Ta)
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:*IRLML6402TR
IRLML6402
IRLML6402-ND
IRLML6402CT
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:633pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:12nC @ 5V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):2.5V, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
电流 - 25°C连续排水(Id):3.7A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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