IRLML6401TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML6401TRPBF
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型号 IRLML6401TRPBF
制造商 Infineon
描述 Mosfet, Power; P-ch; Vdss -12V; Rds(on) 0.05 Ohm; Id -4.3A; MICRO3; Pd 1.3W; Vgs +/-8V
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 53601 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:950mV @ 250µA
Vgs(最大):±8V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:Micro3™/SOT-23
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
功率耗散(最大):1.3W (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:IRLML6401GTRPBF
IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFTR-ND
IRLML6401PBFTR
SP001568584
SP001577044
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:830pF @ 10V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:15nC @ 5V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):1.8V, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):12V
详细说明:P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
电流 - 25°C连续排水(Id):4.3A (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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