IRLML6401GTRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML6401GTRPBF
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型号 IRLML6401GTRPBF
制造商 Infineon
描述
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 13560 pcs
参考价格
(美元)
3000 pcs6000 pcs15000 pcs30000 pcs
$0.125$0.117$0.11$0.101
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产品特性

数据表

电压 - 测试:830pF @ 10V
电压 - 击穿:Micro3™/SOT-23
VGS(TH)(最大)@标识:50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(最大):1.8V, 4.5V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
系列:HEXFET®
RoHS状态:Tape & Reel (TR)
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:4.3A (Ta)
极化:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBFTR
SP001568584
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:13 Weeks
制造商零件编号:IRLML6401GTRPBF
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:15nC @ 5V
IGBT类型:±8V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:950mV @ 250µA
FET特点:P-Channel
展开说明:P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
漏极至源极电压(Vdss):-
描述:MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
电流 - 25°C连续排水(Id):12V
电容比:1.3W (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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