IRLML5103TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML5103TRPBF
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型号 IRLML5103TRPBF
制造商 Infineon
描述 INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 37471 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:Micro3™/SOT-23
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:600 mOhm @ 600mA, 10V
功率耗散(最大):540mW (Ta)
封装:Original-Reel®
封装/箱体:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:IRLML5103GTRPBFDKR
IRLML5103GTRPBFDKR-ND
IRLML5103PBFDKR
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:75pF @ 25V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:5.1nC @ 10V
FET型:P-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
电流 - 25°C连续排水(Id):760mA (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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