IRLML5103GTRPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
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| 型号 | IRLML5103GTRPBF |
|---|---|
| 制造商 | Infineon |
| 描述 | Mosfet; P-ch; -30V; -0.61A; 600 Mohm; 3.4 Nc Qg; Logic Lvl; SOT-23; Halogen-free |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.111 | $0.10 | $0.09 | $0.088 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 测试: | 75pF @ 25V |
|---|---|
| 电压 - 击穿: | Micro3™/SOT-23 |
| VGS（TH）（最大）@标识: | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs（最大）: | 4.5V, 10V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 系列: | HEXFET® |
| RoHS状态: | Tape & Reel (TR) |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 760mA (Ta) |
| 极化: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名称: | IRLML5103GTRPBF-ND IRLML5103GTRPBFTR SP001568594 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 10 Weeks |
| 制造商零件编号: | IRLML5103GTRPBF |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 5.1nC @ 10V |
| IGBT类型: | ±20V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 1V @ 250µA |
| FET特点: | P-Channel |
| 展开说明: | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | - |
| 描述: | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 30V |
| 电容比: | 540mW (Ta) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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