IRLML2803GTRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML2803GTRPBF
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型号 IRLML2803GTRPBF
制造商 Infineon
描述 N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 1.2A, MICRO3; Transistor Polarity: N Channel; Con
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 47401 pcs
参考价格
(美元)
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产品特性

数据表

电压 - 测试:85pF @ 25V
电压 - 击穿:Micro3™/SOT-23
VGS(TH)(最大)@标识:250 mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(最大):4.5V, 10V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
系列:HEXFET®
RoHS状态:Tape & Reel (TR)
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:1.2A (Ta)
极化:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名称:IRLML2803GTRPBFTR
SP001550482
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:10 Weeks
制造商零件编号:IRLML2803GTRPBF
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:5nC @ 10V
IGBT类型:±20V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:1V @ 250µA
FET特点:N-Channel
展开说明:N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
漏极至源极电压(Vdss):-
描述:MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
电流 - 25°C连续排水(Id):30V
电容比:540mW (Ta)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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