EPC2105ENG
EPC
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| 型号 | EPC2105ENG |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 描述 | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 30 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $11.60 | $10.73 | $9.86 | |||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $8.99 | $8.41 | $7.714 | |||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.5V @ 2.5mA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | Die |
| 系列: | eGaN® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 14.5 mOhm @ 20A, 5V |
| 功率 - 最大: | - |
| 封装: | Bulk |
| 封装/箱体: | Die |
| 其他名称: | EPC2105ENGR 917-EPC2105ENG EPC2105ENGR EPC2105ENGRH4 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 300pF @ 40V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
| FET型: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特点: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 80V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 9.5A, 38A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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