EPC2103

EPC

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型号 EPC2103
制造商 EPC
描述 TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 7mA
供应商设备封装:Die
系列:eGaN®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:5.5 mOhm @ 20A, 5V
功率 - 最大:-
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:Die
其他名称:917-1183-1
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:14 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:760pF @ 40V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:6.5nC @ 5V
FET型:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点:GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss):80V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A Surface Mount Die
电流 - 25°C连续排水(Id):28A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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