EPC2107ENGRT

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型号 EPC2107ENGRT
制造商 EPC
描述 TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
供应商设备封装:9-BGA (1.35x1.35)
系列:eGaN®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
功率 - 最大:-
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:9-VFBGA
其他名称:917-EPC2107ENGRTR
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET型:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特点:GaNFET (Gallium Nitride)
漏极至源极电压(Vdss):100V
详细说明:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
电流 - 25°C连续排水(Id):1.7A, 500mA
Email:info@cjjhk.com

介绍

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