1N8031-GA
GeneSiC Semiconductor
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| 型号 | 1N8031-GA |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $172.134 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 峰值反向（最大）: | Silicon Carbide Schottky |
|---|---|
| 电压 - 正向（Vf）（最大）: | 1A |
| 电压 - 击穿: | TO-276 |
| 系列: | - |
| RoHS状态: | Tube |
| 反向恢复时间（trr）: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 电阻@，女: | 76pF @ 1V, 1MHz |
| 极化: | TO-276AA |
| 其他名称: | 1242-1118 1N8031GA |
| 工作温度 - 结: | 0ns |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 18 Weeks |
| 制造商零件编号: | 1N8031-GA |
| 展开说明: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 1A Through Hole TO-276 |
| 二极管配置: | 5µA @ 650V |
| 描述: | DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276 |
| 电流 - Vr时反向漏电: | 1.5V @ 1A |
| 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）: | 650V |
| 电容@ Vr，F时: | -55°C ~ 250°C |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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