1N8028-GA
GeneSiC Semiconductor
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| 型号 | 1N8028-GA |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 包含铅/ RoHS不兼容 |
| 参考价格 (美元) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $185.375 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 峰值反向（最大）: | Silicon Carbide Schottky |
|---|---|
| 电压 - 正向（Vf）（最大）: | 9.4A (DC) |
| 电压 - 击穿: | TO-257 |
| 系列: | - |
| RoHS状态: | Tube |
| 反向恢复时间（trr）: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 电阻@，女: | 884pF @ 1V, 1MHz |
| 极化: | TO-257-3 |
| 其他名称: | 1242-1115 1N8028GA |
| 工作温度 - 结: | 0ns |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 18 Weeks |
| 制造商零件编号: | 1N8028-GA |
| 展开说明: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257 |
| 二极管配置: | 20µA @ 1200V |
| 描述: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257 |
| 电流 - Vr时反向漏电: | 1.6V @ 10A |
| 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）: | 1200V (1.2kV) |
| 电容@ Vr，F时: | -55°C ~ 250°C |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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