TH58BYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
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| 型号 | TH58BYG3S0HBAI6 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 描述 | 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 338 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $8.075 | |||||
产品特性
数据表
| 写周期时间 - 字，页: | 25ns |
|---|---|
| 电压 - 电源: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 技术: | FLASH - NAND (SLC) |
| 供应商设备封装: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 系列: | Benand™ |
| 封装/箱体: | 67-VFBGA |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存大小: | 8Gb (1G x 8) |
| 内存接口: | - |
| 内存格式: | FLASH |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 详细说明: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 67-VFBGA (6.5x8) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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