TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
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| 型号 | TC58BYG2S0HBAI6 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Memory America, Inc. |
| 描述 | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 50 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $5.13 | $4.686 | $4.596 | $4.565 | ||
| 100 pcs | 338 pcs | 676 pcs | 1014 pcs | ||
| $4.095 | $4.079 | $3.825 | $3.662 | ||
产品特性
数据表
| 写周期时间 - 字，页: | 25ns |
|---|---|
| 电压 - 电源: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 技术: | FLASH - NAND (SLC) |
| 供应商设备封装: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| 系列: | Benand™ |
| 封装: | Tray |
| 封装/箱体: | 67-VFBGA |
| 其他名称: | TC58BYG2S0HBAI6JDH TC58BYG2S0HBAI6YCL |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存大小: | 4Gb (512M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 内存格式: | FLASH |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 详细说明: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8) |
| 访问时间: | 25ns |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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