STGB30H65FB
STMicroelectronics
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产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 650V |
|---|---|
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC: | 2V @ 15V, 30A |
| 测试条件: | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| Td（开/关）@ 25°C: | 37ns/146ns |
| 开关能量: | 151µJ (on), 293µJ (off) |
| 供应商设备封装: | D2PAK |
| 系列: | HB |
| 功率 - 最大: | 260W |
| 封装/箱体: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 制造商标准交货期: | 42 Weeks |
| 输入类型: | Standard |
| IGBT类型: | Trench Field Stop |
| 栅极电荷: | 149nC |
| 详细说明: | IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Surface Mount D2PAK |
| 电流 - 集电极脉冲（ICM）: | 120A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 60A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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