SIZ926DT-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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| 型号 | SIZ926DT-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 描述 | MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.55 | $1.373 | $1.085 | $0.842 | $0.665 | |
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | 8-PowerPair® (6x5) |
| 系列: | TrenchFET® Gen IV |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V |
| 功率 - 最大: | 20.2W, 40W |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | 8-PowerWDFN |
| 其他名称: | SIZ926DT-T1-GE3DKR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 32 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点: | Standard |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 25V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 40A (Tc), 60A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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