SIZ920DT-T1-GE3
Vishay Precision Group
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| 型号 | SIZ920DT-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay |
| 描述 | VISHAY SIZ920DT-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 A, 30 V, 0.0059 ohm, 10 V, 1.2 V |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.793 | $0.716 | $0.646 | $0.632 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | 8-PowerPair® (6x5) |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V |
| 功率 - 最大: | 39W, 100W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 8-PowerWDFN |
| 其他名称: | SIZ920DT-T1-GE3TR SIZ920DTT1GE3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1260pF @ 15V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 35nC @ 10V |
| FET型: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET特点: | Standard |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 40A 39W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 40A |
| 基础部件号: | SIZ920 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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