SIR140DP-T1-RE3
Vishay Precision Group
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| 型号 | SIR140DP-T1-RE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin SOIC |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.468 | $1.325 | $1.195 | $1.169 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | +20V, -16V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | PowerPAK® SO-8 |
| 系列: | TrenchFET® Gen IV |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 0.67 mOhm @ 20A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | PowerPAK® SO-8 |
| 其他名称: | SIR140DP-RE3 SIR140DP-T1-RE3TR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 32 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 8150pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 170nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 4.5V, 10V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 25V |
| 详细说明: | N-Channel 25V 71.9A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 71.9A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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