SIR112DP-T1-RE3

Vishay Precision Group

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型号	SIR112DP-T1-RE3
制造商	Vishay
描述	N-channel 40-V (d-s) Mosfet Powerpak SO-8 650M Sg
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

~~有现货~~ 27621 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.743	$0.67	$0.605	$0.591

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	2.4V @ 250µA
Vgs（最大）:	+20V, -16V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	PowerPAK® SO-8
系列:	TrenchFET® Gen IV
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	1.96 mOhm @ 10A, 10V
功率耗散（最大）:	5W (Ta), 62.5W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封装/箱体:	PowerPAK® SO-8
其他名称:	SIR112DP-T1-RE3TR
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	4270pF @ 20V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	89nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特点:	-
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	4.5V, 10V
漏极至源极电压（Vdss）:	40V
详细说明:	N-Channel 40V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
电流 - 25°C连续排水（Id）:	37.6A (Ta), 133A (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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