SIA910EDJ-T1-GE3
Vishay Precision Group
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| 型号 | SIA910EDJ-T1-GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay |
| 描述 | Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet PowerPAK SC-70-6L |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.34 | $0.307 | $0.276 | $0.27 | ||
产品特性
数据表
| VGS(TH)(最大)@标识: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压: | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 7.8W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 其他名称: | SIA910EDJ-T1-GE3TR SIA910EDJT1GE3 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容(Ciss)(Max)@ Vds: | 455pF @ 6V |
| 栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 16nC @ 8V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压(Vdss): | 12V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 电流 - 25°C连续排水(Id): | 4.5A |
| 基础部件号: | SIA910E |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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