SIA850DJ-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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型号	SIA850DJ-T1-GE3
制造商	Electro-Films (EFI) / Vishay
描述	MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

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产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	1.4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±16V
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
系列:	LITTLE FOOT®
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
功率耗散（最大）:	1.9W (Ta), 7W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封装/箱体:	PowerPAK® SC-70-6 Dual
其他名称:	SIA850DJ-T1-GE3-ND SIA850DJ-T1-GE3TR SIA850DJT1GE3
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	90pF @ 100V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	4.5nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特点:	Schottky Diode (Isolated)
驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）:	1.8V, 4.5V
漏极至源极电压（Vdss）:	190V
详细说明:	N-Channel 190V 950mA (Tc) 1.9W (Ta), 7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
电流 - 25°C连续排水（Id）:	950mA (Tc)
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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