NTMD6601NR2G

onsemi

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型号	NTMD6601NR2G
制造商	onsemi
描述	Transistor MOSFET Array Dual N-CH 80V 1.4A 8-Pin SOIC T/R
无铅状态/ RoHS状态	无铅/符合RoHS

~~有现货~~ 28254 pcs
参考价格 (美元)	10 pcs	100 pcs	1000 pcs	10000 pcs
参考价格 (美元)	$0.557	$0.503	$0.453	$0.443

产品特性

数据表

VGS（TH）（最大）@标识:	3V @ 250µA
供应商设备封装:	8-SOIC
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压:	215 mOhm @ 2.2A, 10V
功率 - 最大:	600mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封装/箱体:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
湿度敏感度等级（MSL）:	1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:	Lead free / RoHS Compliant
输入电容（Ciss）（Max）@ Vds:	400pF @ 25V
栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs:	15nC @ 10V
FET型:	2 N-Channel (Dual)
FET特点:	Logic Level Gate
漏极至源极电压（Vdss）:	80V
详细说明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
电流 - 25°C连续排水（Id）:	1.1A
Email:	info@cjjhk.com

介绍

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