NTMD6N02R2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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型号 NTMD6N02R2
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
无铅状态/ RoHS状态 包含铅/ RoHS不兼容
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:1.2V @ 250µA
供应商设备封装:8-SOIC
系列:-
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:35 mOhm @ 6A, 4.5V
功率 - 最大:730mW
封装:Tape & Reel (TR)
封装/箱体:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名称:NTMD6N02R2OS
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Contains lead / RoHS non-compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:1100pF @ 16V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 4.5V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特点:Logic Level Gate
漏极至源极电压(Vdss):20V
详细说明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.92A 730mW Surface Mount 8-SOIC
电流 - 25°C连续排水(Id):3.92A
基础部件号:NTMD6N02
Email:info@cjjhk.com

介绍

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