MRF5812R2
Microsemi
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| 型号 | MRF5812R2 |
|---|---|
| 制造商 | Microsemi Corporation |
| 描述 | RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
| 参考价格 (美元) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.357 | |||||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 200mA |
|---|---|
| 电压 - 击穿: | 8-SO |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 18V |
| 系列: | - |
| RoHS状态: | Tape & Reel (TR) |
| 电阻 - 基（R 1）（欧姆）: | 5GHz |
| 功率 - 最大: | 1.25W |
| 极化: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商零件编号: | MRF5812R2 |
| 获得: | 2dB @ 500MHz |
| 频率 - 转换: | 50 @ 50mA, 5V |
| FET型: | 15.5dB |
| 展开说明: | RF Transistor NPN 18V 200mA 5GHz 1.25W Surface Mount 8-SO |
| 描述: | RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | NPN |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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