MRF586G
Microsemi
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产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 17V |
|---|---|
| 晶体管类型: | NPN |
| 供应商设备封装: | TO-39 |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 封装: | Bulk |
| 封装/箱体: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 工作温度: | - |
| 噪声系数（dB典型值@频率）: | - |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 获得: | 13.5dB |
| 频率 - 转换: | 3GHz |
| 详细说明: | RF Transistor NPN 17V 200mA 3GHz 1W Through Hole TO-39 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 40 @ 50mA, 5V |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 200mA |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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