KSD363YTU
onsemi
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| 型号 | KSD363YTU |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | KSD363 Series 120 V 6 A 40 W NPN Epitaxial Silicon Transistor TO-220-3 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.509 | $0.459 | $0.414 | $0.405 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 120V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 1V @ 100mA, 1A |
| 晶体管类型: | NPN |
| 供应商设备封装: | TO-220-3 |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 40W |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-220-3 |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | 10MHz |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 120 @ 1A, 5V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 1mA (ICBO) |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 6A |
| 基础部件号: | KSD363 |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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