IPD50P03P4L11ATMA1
Infineon Tech, Power Semi's
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| 型号 | IPD50P03P4L11ATMA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Tech, Power Semi's |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $22.128 | $19.974 | $18.016 | $17.624 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 2V @ 85µA |
|---|---|
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | PG-TO252-3 |
| 系列: | OptiMOS™ |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 10.5 mOhm @ 50A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 58W (Tc) |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 其他名称: | IPD50P03P4L-11INCT IPD50P03P4L-11INCT-ND IPD50P03P4L11 IPD50P03P4L11ATMA1CT |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 3770pF @ 25V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 55nC @ 10V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特点: | - |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 30V |
| 详细说明: | P-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 50A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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