IMD10AT108

LAPIS Semiconductor

IMD10AT108
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型号 IMD10AT108
制造商 ROHM
描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP Pre-Biased (Dual) 5V 1mA, 5mA 25MHz, 2MHz 3mW Surface Mount SMT6
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 61641 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.199$0.18$0.162$0.158
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
晶体管类型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供应商设备封装:SMT6
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):10 kOhms
电阻器 - 基座(R1):10 kOhms, 100 Ohms
功率 - 最大:300mW
封装:Original-Reel®
封装/箱体:SC-74, SOT-457
其他名称:IMD10AT108DKR
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:10 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:250MHz, 200MHz
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大):500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大):100mA, 500mA
基础部件号:MD10A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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