IMD10AMT1G

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IMD10AMT1G
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型号 IMD10AMT1G
制造商 onsemi
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 38412 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.155$0.14$0.126$0.123
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目标价:(USD)
数量:
合计:
$0.155

产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC:300mV @ 1mA, 10mA
晶体管类型:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
供应商设备封装:SC-74R
系列:-
电阻器 - 发射器底座(R2):10 kOhms
电阻器 - 基座(R1):13 kOhms, 130 Ohms
功率 - 最大:285mW
封装:Cut Tape (CT)
封装/箱体:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名称:IMD10AMT1GOSCT
安装类型:Surface Mount
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
制造商标准交货期:9 Weeks
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
频率 - 转换:-
详细说明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 285mW Surface Mount SC-74R
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
电流 - 集电极截止(最大):500nA
电流 - 集电极(Ic)(最大):500mA
Email:info@cjjhk.com

介绍

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