HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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| 型号 | HN2C01FEYTE85LF |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 描述 | TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.43 | $0.392 | $0.282 | $0.22 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | |||
| $0.138 | $0.118 | $0.08 | |||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 50V |
|---|---|
| Vce饱和（最大）@ IB，IC: | 250mV @ 10mA, 100mA |
| 晶体管类型: | 2 NPN (Dual) |
| 供应商设备封装: | ES6 |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 100mW |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封装/箱体: | SOT-563, SOT-666 |
| 其他名称: | HN2C01FEYTE85LFDKR |
| 工作温度: | 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 转换: | 60MHz |
| 详细说明: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce: | 120 @ 2mA, 6V |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 100nA (ICBO) |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 150mA |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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