HGTG12N60A4D

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HGTG12N60A4D
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型号 HGTG12N60A4D
制造商 onsemi
描述 600V SMPS Series N-Channel IGBT Transistor with Anti-Parallel Hyperfast Diode
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 13936 pcs
参考价格
(美元)
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$2.488$2.246$2.026$1.982
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.7V @ 15V, 12A
测试条件:390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:17ns/96ns
开关能量:55µJ (on), 50µJ (off)
供应商设备封装:TO-247
系列:-
反向恢复时间(trr):30ns
功率 - 最大:167W
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
其他名称:HGTG12N60A4D_NL
HGTG12N60A4D_NL-ND
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:-
栅极电荷:78nC
详细说明:IGBT 600V 54A 167W Through Hole TO-247
电流 - 集电极脉冲(ICM):96A
电流 - 集电极(Ic)(最大):54A
基础部件号:HGTG12N60
Email:info@cjjhk.com

介绍

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