FPF2C110BI07AS2
onsemi
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| 型号 | FPF2C110BI07AS2 |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | Power Integrated Module (PIM), F2, SiC Diode + MOSFET + IGBT, 650 V |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $81.643 | $73.695 | $66.47 | $65.025 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 650V |
|---|---|
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC: | 2.3V @ 15V, 40A |
| 供应商设备封装: | F2 |
| 系列: | - |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 封装/箱体: | 30-DIP Module |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C |
| NTC热敏电阻: | Yes |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入: | Standard |
| IGBT类型: | - |
| 详细说明: | IGBT Module Half Bridge 650V 40A 300W Through Hole F2 |
| 电流 - 集电极截止（最大）: | 250µA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 40A |
| 组态: | Half Bridge |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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