FGH80N60FD2TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGH80N60FD2TU
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型号 FGH80N60FD2TU
制造商 AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述 IGBT 600V 80A 290W TO247
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
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产品特性

数据表

电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.4V @ 15V, 40A
测试条件:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Td(开/关)@ 25°C:21ns/126ns
开关能量:1mJ (on), 520µJ (off)
供应商设备封装:TO-247
系列:-
反向恢复时间(trr):61ns
功率 - 最大:290W
封装:Tube
封装/箱体:TO-247-3
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入类型:Standard
IGBT类型:Field Stop
栅极电荷:120nC
详细说明:IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
电流 - 集电极脉冲(ICM):160A
电流 - 集电极(Ic)(最大):80A
Email:info@cjjhk.com

介绍

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