FGH75T65SQDNL4
onsemi
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| 型号 | FGH75T65SQDNL4 |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
| 无铅状态/ RoHS状态 |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $6.17 | $5.569 | $5.023 | $4.914 | ||
产品特性
数据表
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）: | 650V |
|---|---|
| 的VCE（on）（最大）@ VGE，IC: | 2.1V @ 15V, 75A |
| 测试条件: | 400V, 75A, 10 Ohm, 15V |
| Td（开/关）@ 25°C: | 44ns/208ns |
| 开关能量: | 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) |
| 供应商设备封装: | TO-3PF-3 |
| 系列: | - |
| 反向恢复时间（trr）: | 134ns |
| 功率 - 最大: | 375W |
| 封装/箱体: | TO-3P-3 Full Pack |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 输入类型: | Standard |
| IGBT类型: | Trench Field Stop |
| 栅极电荷: | 152nC |
| 详细说明: | IGBT Trench Field Stop 650V 200A 375W Through Hole TO-3PF-3 |
| 电流 - 集电极脉冲（ICM）: | 200A |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大）: | 200A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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