FDU6612A

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FDU6612A
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型号 FDU6612A
制造商 onsemi
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
无铅状态/ RoHS状态 无铅/符合RoHS
有现货 40495 pcs
参考价格
(美元)
10 pcs100 pcs1000 pcs10000 pcs
$0.327$0.296$0.267$0.261
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合计:
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产品特性

数据表

VGS(TH)(最大)@标识:3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技术:MOSFET (Metal Oxide)
供应商设备封装:IPAK (TO-251)
系列:PowerTrench®
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压:20 mOhm @ 9.5A, 10V
功率耗散(最大):2.8W (Ta), 36W (Tc)
封装:Tube
封装/箱体:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
湿度敏感度等级(MSL):1 (Unlimited)
无铅状态/ RoHS状态:Lead free / RoHS Compliant
输入电容(Ciss)(Max)@ Vds:660pF @ 15V
栅极电荷(Qg)(Max)@ Vgs:9.4nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特点:-
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开):4.5V, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
详细说明:N-Channel 30V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
电流 - 25°C连续排水(Id):9.5A (Ta), 30A (Tc)
Email:info@cjjhk.com

介绍

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