FDU6512A
onsemi
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| 型号 | FDU6512A |
|---|---|
| 制造商 | onsemi |
| 描述 | Mosfet N-ch 20V 10.7A I-pak |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.802 | $0.724 | $0.653 | $0.639 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±12V |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供应商设备封装: | IPAK (TO-251) |
| 系列: | PowerTrench® |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 3.8W (Ta), 43W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封装/箱体: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1082pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 19nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特点: | - |
| 驱动电压（最大Rds开，最小Rds开）: | 2.5V, 4.5V |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | N-Channel 20V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 10.7A (Ta), 36A (Tc) |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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