DMN2016UTS-13
Diodes Incorporated
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| 型号 | DMN2016UTS-13 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes Inc. |
| 描述 | Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.325 | $0.294 | $0.265 | $0.259 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | 8-TSSOP |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 880mW |
| 封装: | Cut Tape (CT) |
| 封装/箱体: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 其他名称: | DMN2016UTS-13DICT |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 32 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1495pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 16.5nC @ 4.5V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 8.58A |
| 基础部件号: | DMN2016U |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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