DMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated
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| 型号 | DMN2016LHAB-7 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes Inc. |
| 描述 | Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 7.7A 8-Pin uDFN2030 T/R |
| 无铅状态/ RoHS状态 | 无铅/符合RoHS |
| 参考价格 (美元) | 10 pcs | 100 pcs | 1000 pcs | 10000 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.306 | $0.276 | $0.249 | $0.243 | ||
产品特性
数据表
| VGS（TH）（最大）@标识: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| 供应商设备封装: | U-DFN2030-6 |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压: | 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V |
| 功率 - 最大: | 1.2W |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封装/箱体: | 6-UDFN Exposed Pad |
| 其他名称: | DMN2016LHAB-7DITR |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 湿度敏感度等级（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 制造商标准交货期: | 20 Weeks |
| 无铅状态/ RoHS状态: | Lead free / RoHS Compliant |
| 输入电容（Ciss）（Max）@ Vds: | 1550pF @ 10V |
| 栅极电荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
| FET型: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET特点: | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（Vdss）: | 20V |
| 详细说明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6 |
| 电流 - 25°C连续排水（Id）: | 7.5A |
| Email: | info@cjjhk.com |
介绍
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